RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сравнить
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
40
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2455
2855
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link