RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
59
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3313
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link