Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB

-->

Средняя оценка

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Средняя оценка

Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB

Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

1,855.7 1,703.3

Среднее значение в тестах

Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB

Причины выбрать
Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Elpida EBE10UE8ACWA-6E-E 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

59 59
Скорость чтения, Гб/сек

4,168.0 4,009.6
Скорость записи, Гб/сек

1,855.7 1,703.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 5300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

680 624

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB

Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston X75V1H-MIE 32GB

Kingston X75V1H-MIE 32GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

модули RAM

ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB

ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB

модули RAM

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

модули RAM