RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3587
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link