RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
59
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.9
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
8.9
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2126
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link