RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
59
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
41
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2126
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link