RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
59
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
41
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2126
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link