RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
85
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
85
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1277
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link