RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3196
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link