RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
17.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
22
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3232
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link