RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3402
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link