RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3516
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link