RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1424
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link