RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
58
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
58
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2096
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link