RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3027
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link