RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2370
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link