RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3531
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link