RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3495
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link