RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
33
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
21
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
4293
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link