RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
33
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость чтения
26.4
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
14
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
26.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
4362
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link