RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
40
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2972
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link