RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3133
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link