RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2537
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link