RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3506
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link