RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
57
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
17.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
57
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2377
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link