RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
64
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
64
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2052
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link