RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2382
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link