RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
75
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
75
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1640
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link