RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2034
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link