RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
33
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
18
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3597
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link