RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
45
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2190
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link