RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.7
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
20.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3500
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link