RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
76
Около 62% меньшая задержка
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
76
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
1859
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link