RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
54
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
39
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2852
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link