RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
60
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
7.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
1505
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link