RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2374
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link