RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2179
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link