RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2409
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link