RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2409
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link