RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3000
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link