RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
74
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
74
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
1925
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link