RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
2908
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link