RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3756
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2133C11 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link