RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
3384
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link