RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3178
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link