Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 40

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 8.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 17.8
Скорость записи, Гб/сек

8.3 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2035 3386

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

Kingston 9905624-013.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB

модули RAM