RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3563
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link