RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
12.2
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3563
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link