RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
3036
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link