RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
40
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3036
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link