RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2633
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link