RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
40
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2633
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link